IT之家 7 月 1 日音问，概括韩媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 报谈，三星电子当地时分昨日下昼对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予坐褥准备批准 (PRA)。这标记着三星完成 1c nm 内存开采开云kaiyun.com，准备向量产转动。

三星电子的 HBM4 12Hi 内存将使用 1c nm DRAM Die，不错说该内存工艺的表当今很猛进度上影响了 DS 部门存储器处事部将来 1~2 年的营收发扬。

而在三星电子之前，SK 海力士和好意思光也齐完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的开采开云kaiyun.com，三大内存原厂向 10nm 关隘更近了一步。